گارانتی : 3 ساله ، ماتریس قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite) قابلیت تصحیح خطا ابعاد: 80.00x22.00x2.15 میلیمتر دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگراد حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500G کنترل کننده : PHISON E15T سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:550K (IOPS) سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:150K (IOPS) نوع رابط حافظه : PCIe Gen3x4, NVMe 1.4 ظرفیت: 500 گیگابایت حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک : 1500G میانگین عمر:1500000ساعت نوع فلش: 3D NAND سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:3300MB/S سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:2300MB/S مقاومت در برابر شوک و لرزش مصرف برق:3.2 وات
گارانتی : 3 ساله ، ماتریس قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite) قابلیت تصحیح خطا ابعاد: 80.00x22.00x2.15 میلیمتر دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتیگراد حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500G کنترل کننده : PHISON E15T سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:550K (IOPS) سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:150K (IOPS) نوع رابط حافظه : PCIe Gen3x4, NVMe 1.4 ظرفیت: 500 گیگابایت حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک : 1500G میانگین عمر:1500000ساعت نوع فلش: 3D NAND سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:3300MB/S سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:2300MB/S مقاومت در برابر شوک و لرزش مصرف برق:3.2 وات
برای ثبت و ارسال نظر ابتدا به سیستم وارد شوید